t1m(t1m0n0分期)

PN8370NSC-T1M产品特性

■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

■内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)

t1m■采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准

■全电压输入范围±5%的CC/CV精度

■原边反馈可省光耦和TL431

■恒压、恒流、输出线补偿外部可调

■无需额外补偿电容

■无音频噪声

■智能保护功能

?过温保护 (OTP)

?VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)

?逐周期过流保护 (OCP)

?CS开/短路保护 (CS O/SP)

?开环保护 (OLP)

骊微电子提供PN8370NSC-T1M 低待机功耗芯片5V2.4A适配器方案-pn8370应用电路图,是芯朋微代理商可提供样品申请及技术支持。>>

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